Process 東芝 / SanDisk、Micron / Intel, SK hynix、Samsung 各社が使用している1x and 1y nm NAND Flash メモリーディバイスのプロセス比較 Samsung K9DUGB8S7M 0.5 TB 48L V-NAND Flash Memory メモリー詳細構造解析 Samsung Galaxy S7 スマートフォン搭載 ソニー IMX260 12 Mpix イメージセンサー 詳細構造解析 裏面照射型 CMOS TDK SESUB-PAN-T2541 Bluetooth V4.0 Smart Single Mode Module パッケージング解析 CircuitVisionTM Intel PMB5747 SMARTi LTE マルチモード RF トランシーバ CircuitVision (回路) 解析 LTE マルチモード接続、衛星測位 システム GLONASS/BEIDOU 対応 トランシーバチップ Qualcomm WTR4905 CircuitVision 解析 NFC NXP PN549は、iPhone 6S CircuitVision分析で発見 CircuitVision Analysis of the Major Blocks on the Samsung LPDDR4 DRAM (モバイル向け) の CircuitVision 解析 Transistor Characterization Apple A9 プロセッサで使用されている TSMC 16 nm FinFET プロセスの温度変化に対するトランジスタ特性 Samsung 14 nm Exynos 7 SoC のマルチ温度トランジスタ特性 Samsung 3D V-NAND フラッシュメモリーのトランジスタ特性 Qualcomm 20 nm ノード MDM9235M モデムチップセットのマルチ温度トランジスタ特性 Waveform Analysis 東芝 (Sandisk/東芝) 15 nm X3 (3 bit/セル) 128 Gbit NAND フラッシュメモリー内部波形解析 東芝 (Sandisk/東芝) TH58TEG7DDJTA20 19 nm MLC NAND フラッシュ内部波形解析 Samsung 3D V-NAND フラッシュメモリーのトランジスタ特性 Macronix MX25L6406E 64M ビット CMOS シリアルフラッシュの内部波形解析