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让我们来看看IC市场动态、TechInsights逆向工程团队正在分析哪些器件?

以及未来器件技术路线图。

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Discover the Inaugural Analysis Reports on D1β DRAM and 232L QLC 3D NAND

突破性事件: 从苹果iPhone 15 Pro中发现的行业首款 D1β LPDDR5X DRAM

在不使用EUV光刻技术的情况下成功完成集成13nm DRAM单元设计。 美光的D1β DRAM工艺采用高钾金属栅极(HKMG)。 存储密度比之前的LPDDR5/5X D1α 16Gb芯片提高了42%。 较小的芯片尺寸 (密封边缘)36.78 mm2 (7.02 mm x 5.24 mm),密度为0.435 Gb/mm2

美光 D1β 16Gb LPDDR5X 突破性事件报告

当前的IC市场和展望

  • 预计2023年电子OEM销量将下降3%,IC销量将下降13%。
  • IC市场的下行受存储行业影响;疫情期间的需求导致存储产品库存过剩。
  • 从连续13周的移动平均销量来看,NAND下降了22%,DRAM下降了30%。
  • 在13周期间,逻辑器件的移动平均销量转为正数,而模拟器件和功率器件销量继续下滑。汽车IC的增长正在放缓。
  • 最近的人工智能热潮表明,对能够容纳人工智能的技术有巨大的需求,例如强大的GPU和HBM。
  • 存储器件价格已经开始上涨,这是一个强有力的指标,表明整个供应链的供应持续减少,复苏正在进行中。
  • 存储器件投资预计将在2023年减少27%,随后在2024年增加10%,推动复苏。

分析中的半导体器件

TechInsights在创新产品推出后获得这些产品,并会从先进半导体的制造工艺、材料、设计技术和电气特性等方面对它们进行分析。 查看TechInsights已发布半导体器件分析,如果您对分析报告感兴趣,请联系我们。

  • TSMC - 3nm FinFET
  • Micron - D1β DRAM, 232L NAND
  • Samsung - 3nm GAA, D1a DRAM, HBM2E
  • SK hynix & Solidigm - D1a DRAM, D1y GDDR6, 192L NAND
  • SMIC - N+2 7nm
  • YMTC - 232L NAND
  • CXMT - 22nm DRAM
  • Winbond - 25nm Pseudo-Static RAM

器件技术路线图

器件技术路线图

逻辑、DRAM、3D NAND等技术正在加速变革,以满足各种应用领域的需求,这将要求未来向超高密度、高速度和低能耗的方向发展。从现在起的三到五年内,哪些技术将被商业化?

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