1.回路の抽出

通常、同一デバイス/ダイに対して実施された回路レポート (CAR) には抽出回路が含まれています。CAR を簡単に使用できない場合、解析対象信号をレイアウト上で特定し、アクセス可能性を判断するために、はじめに該当領域の回路を抽出する必要があります。

回路抽出の詳細については、こちらをご覧ください。

3.フラッシュプログラマおよび外部機能テスト

各種のフラッシュプログラマユニットを使用して、非同期、マルチプレーン、特定のベンダーコマンドなど、さまざまな動作モードで NAND/NOR フラッシュメモリーパッケージを動作させます。

NAND フラッシュの場合、コマンドおよびアドレス指定がデバイスごとに異なる (ブロックあたりのページ数、ワード線アドレス/ページアドレス、TLC/MLC、コマンドプリフィックスなど) 可能性があるため、簡単な方法として、デバイスのデータシートでこの情報を取得してから、データシートに基づいて適切なフラッシュプログラマ ドライバを作成します。

デバイスのデータシートが公開されていない場合、外部機能テストを実行するために、メモリーシステム (SSD、携帯電話、SD カードなど) 内にフラッシュパッケージを挿入してロジックアナライザに接続し、コントローラと NAND フラッシュデバイス間のシステム動作中の通信を捕捉し、デバイス動作に必要なコマンドとアドレス指定方法を特定します。

次に、外部機能テストによって取得、解析されたコマンドおよびアドレス指定情報を使用して、対象の NAND フラッシュデバイスを動作させるために適切なフラッシュプログラマ ドライバを生成します。

機能テストの詳細については、こちらをご覧ください。

5.波形の捕捉と解析

テックインサイツの社内 NAND 波形解析レポートには、標準レポートとカスタムレポートの 2 種類があります。

標準レポートには、ワード線、ビット線、ソース線、Pwell などの事前定義された信号セット (合計約 10 の信号) が含まれます。NAND デバイスのあらゆるメモリーステートに対して、書き込み、読み取り、消去の全波形が含まれます。例えば TLC デバイスでは、ステート 000 からステート 111、表形式の電圧、ステート分布のサマリー図が含まれます。

カスタムレポートには、お客様が必要とされる信号をいくつでも含めることができます。例えば、ページバッファ回路上の全ての信号を含めて、印加された電圧と信号のタイミングを解析することで回路動作を理解することができます。

また、書き込み、読み取り、消去波形に加えて、お客様のニーズに応じて、その他の必要事項をカスタムレポートに追加できます。

全てのレポートに、オプションで、全波形図の未加工データシートファイルを含めることができ、最終納品物の一部としてビューア アプリケーションを提供します。未加工データシートファイルでは、個々の波形図を開いて、時間尺度、電圧尺度、波形の色を必要に応じて選択できます。

3D NAND フラッシュの書き込み、読み取り、消去動作で捕捉された波形 (下記にサンプルを記載) は、テスト対象デバイスのプログラムアルゴリズムに関する詳細情報を提供します。そのため、特許関連の侵害解析にも、他社の最新設計/ソリューションを理解するためにも活用できます。

標準タイプの社内波形解析では、メモリーのスレシホールド電圧の分布が提供され、各種メモリーステート (MLC デバイスの場合は 4 ステート、TLC デバイスの場合は 8 ステート) のプログラムおよび分布の概要を把握できます (下記の 2 つの例を参照)。